3E 電子デバイス工学
1-1 導体、半導体および絶縁体[pdf]
1-2 半導体材料[pdf]
1-3 半導体結晶[pdf]
1-5 不純物半導体(1)[pdf]
1-5 不純物半導体(2)[pdf]
2-1 ボーアの理論[pdf]
2-1-1 水素のエネルギー準位[pdf]
2-1-2 水素のスペクトル線[pdf]
2-3-1 エネルギー帯[pdf]
2-3-2 自由電子論[pdf]
2-3-4 クローニッヒ・ペニーのモデル[pdf]
2-4 結晶内の電子の速度と有効質量[pdf]
2-5-2 導体・半導体および絶縁体の区別[pdf]
3-1-1 状態密度[pdf]
3-1-3 キャリア密度[pdf]
3-2 真性半導体のキャリア密度とフェルミ準位[pdf]
3-4 不純物半導体のキャリア密度とフェルミ準位[pdf]
3-5 不純物半導体の少数キャリア密度[pdf]
4-1 半導体内のキャリアの運動[pdf]
4-2-2 ドリフト移動度[pdf]
4-3 半導体の抵抗率[pdf]
4-4 磁界内におけるキャリアの運動[pdf]
4-5 キャリアの再結合[pdf]
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